Technique pour les semi-conducteurs
Gravure – Dopage - Réalisation de substrat
Brève description des domaines d'application des gaz spéciaux
Les gaz spéciaux sont utilisés pour les processus importants se déroulant dans la production de semi-conducteurs, soit:-
Inertisation
-
Réalisation de substrat
-
Gravure chimique
-
Dopage
Gravure
Quels gaz purs ou rares typiques sont utilisés:
La gravure intervient dans les processus courants avec des installations au plasma, c'est-à-dire qu'un composant actif est libéré lors de la décomposition des gaz dans le plasma permettant ainsi la gravure de la surface. Sont utilisés: les assemblages de fluorocarbones comme le R23, R116, R14 ou d'autres gaz fluorés comme le SF6 et NF3. Le rinçage est exécuté à l'aide de HCl.
Dopage
Quels mélanges gazeux sont employés, dans quel but et à quelles concentrations:
Le bore, le phosphore et l'arsenic sont les substances de dopage les plus fréquemment utilisées. Les mélanges typiques sont:
-
Phosphine/Silane
-
Phosphine dans azote
-
Arsine dans hydrogène
-
Diborane dans argon ou hydrogène
Réalisation de substrat
Quels gaz purs ou rares typiques sont utilisés:
La réalisation de substrat s'effectue principalement avec:
-
Silane
-
Dichlorsilane
Si vous avez des questions, contactez:
Gerardo Girardi
Responsable de la vente pour les gaz spéciaux
Tél: +41 62 886 41 42
Fax: +41 62 886 41 03
